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2024年集成电路产业补贴！武汉市集成电路产业奖励标准、申报条件
2024年武汉市集成电路产业奖励标准、申报条件，江岸区、江汉区、硚口区、汉阳区、武昌区、青山区、洪山区、蔡甸区、江夏区、黄陂区、新洲区、东西湖区、汉南区、武汉经开区、东湖高新区企业申报集成电路产业奖励可咨询小编：
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武汉分公司地址：武汉市东湖新技术开发区茅店山西路创星汇科技园A栋468室
武汉市集成电路产业奖励标准：
企业可同时申报以下 1-2 项奖补政策（最终只能按就高原则享受其中一项）。其中流片补贴、设计费用补贴仅限集成电路设计企业申报。
（一）流片补贴
1.对完成全掩膜（Full Mask）首轮工程产品流片的集成电路设计企业，给予首轮流片费用 30%或首轮掩膜版制作费用 50%的补贴，单个企业年度补贴总额最高 500 万元。
2.对使用多项目晶圆（MPW）流片进行研发的集成电路设计企业，给予 MPW 首轮流片费用 50%的补贴，单个企业年度补贴总额最高 100 万元。
（二）设计费用补贴
1.给予购买 IP、EDA 实际支出费用的 30%、年度总额最高200 万元的补贴。
2.给予复用、共享我市第三方集成电路设计平台的 IP 设计工具软件或者测试分析系统实际投入的 50%、年度总额最高 100万元的补贴。
（三）销售自主研发设计的芯片及相关产品奖励
1.对于企业销售自主研发设计的芯片，且单款芯片年度销售金额累计超过 500 万元的，按照年度销售金额 10%给予一次性奖励，单款芯片年度奖励最高不超过 500 万元。单个企业在政策有效期内奖励总额最高不超过 1000 万元。
2.企业销售自主研发生产的集成电路关键核心设备或材料，且单款设备或材料年度销售金额累计超过 300 万元的，按照年度销售金额 30%给予一次性奖励，单款设备或材料年度奖励最高不超过 500 万元。单个企业在政策有效期内奖励总额最高不超过1000 万元。
3.企业销售自主研发 EDA 软件，按照单款 EDA 软件年度销售金额 50%给予一次性奖励，单款 EDA 软件年度奖励最高不超过 500 万元。单个企业在政策有效期内奖励总额最高不超过 1000万元。
（四）企业贷款贴息
按企业年度实际支付银行贷款利息金额的 50%给予贷款贴息，单个企业每年贴息金额最高不超过 1000 万元。
武汉市集成电路产业奖励政策申报条件
（一）流片补贴
1.企业在申报年度内进行全掩膜（Full Mask）或多项目晶圆（MPW）首轮流片。
2.经过 Full Mask 流片，达到设计要求后，可以提供给集成电路系统整机厂商进行芯片性能测试及示范应用的芯片产品，产品须获得集成电路布图设计登记证书。
3.“首轮流片”是指集成电路设计企业为某款芯片进行的第一次流片。
4.流片费用具体包括：掩膜版制作费、用于首轮流片的晶圆购置费（不高于 12 片晶圆）、制造端 IP 授权费、测试加工费等。
（二）设计费用补贴
1.企业在申报年度内直接购买 IP、EDA 并用于研发。
2.企业在申报年度内复用、共享第三方集成电路（IC）设计平台的 IP 设计工具软件或测试分析系统。
3.购买 IP 不包含委托技术服务。
4.“IP”是指供应方提供的已形成知识产权并完成权属登记，可直接用于二次开发的商品。“Foundry IP”指由代工厂提供的用于流片环节的 IP 模块。
5.“委托技术服务”是指，委托方提出技术需求，由供应方研发，之后就该项技术形成知识产权，权属由双方自行约定。
（三）销售自主研发设计的芯片及相关产品奖励
1.芯片及相关产品指以下四类产品：芯片、集成电路制造或测试设备、集成电路制造材料、EDA 软件。
2.企业销售自主研发设计的芯片，且单款芯片年度销售金额累计超过 500 万元（依据会计准则核算）。
3.企业销售自主研发设计、生产制造的集成电路设备或材料，且单款产品年度销售金额累计超过 300 万元（依据会计准则核算）。
4.企业年度销售自主研发设计的 EDA 软件产品。
5.企业销售的芯片须在申报前取得集成电路布图设计专有权，销售的其他产品须拥有自主知识产权。
6.是否单款芯片、设备、材料、EDA 软件，以名称、型号以及其他相关技术材料判定。
7.芯片及相关产品销售奖励每年分领域支持（以当年申报通知为准），申报企业上一年度营收同比增速不小于 30%，且申报奖励的销售产品在技术、性能方面须具有较强的创新性。
8.申报销售奖励的设备、材料在技术、性能方面须具有较强的创新性。
（四）企业贷款贴息
1.企业在申报年度内为扩大研发、生产而新增的银行商业贷款，不包括企业获得的政策性银行贷款。
2.企业上一年度的集成电路主营业务收入占企业收入总额的比例不低于 60%。
3.新增贷款是指年度内新核准并已发放的贷款。
4.对因逾期、违约等产生的费用一律不予补贴。
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武汉市集成电路产业奖励标准：
企业可同时申报以下 1-2 项奖补政策（最终只能按就高原则享受其中一项）。其中流片补贴、设计费用补贴仅限集成电路设计企业申报。
（一）流片补贴
1.对完成全掩膜（Full Mask）首轮工程产品流片的集成电路设计企业，给予首轮流片费用 30%或首轮掩膜版制作费用 50%的补贴，单个企业年度补贴总额最高 500 万元。
2.对使用多项目晶圆（MPW）流片进行研发的集成电路设计企业，给予 MPW 首轮流片费用 50%的补贴，单个企业年度补贴总额最高 100 万元。
（二）设计费用补贴
1.给予购买 IP、EDA 实际支出费用的 30%、年度总额最高200 万元的补贴。
2.给予复用、共享我市第三方集成电路设计平台的 IP 设计工具软件或者测试分析系统实际投入的 50%、年度总额最高 100万元的补贴。
（三）销售自主研发设计的芯片及相关产品奖励
1.对于企业销售自主研发设计的芯片，且单款芯片年度销售金额累计超过 500 万元的，按照年度销售金额 10%给予一次性奖励，单款芯片年度奖励最高不超过 500 万元。单个企业在政策有效期内奖励总额最高不超过 1000 万元。
2.企业销售自主研发生产的集成电路关键核心设备或材料，且单款设备或材料年度销售金额累计超过 300 万元的，按照年度销售金额 30%给予一次性奖励，单款设备或材料年度奖励最高不超过 500 万元。单个企业在政策有效期内奖励总额最高不超过1000 万元。
3.企业销售自主研发 EDA 软件，按照单款 EDA 软件年度销售金额 50%给予一次性奖励，单款 EDA 软件年度奖励最高不超过 500 万元。单个企业在政策有效期内奖励总额最高不超过 1000万元。
（四）企业贷款贴息
按企业年度实际支付银行贷款利息金额的 50%给予贷款贴息，单个企业每年贴息金额最高不超过 1000 万元。
武汉市集成电路产业奖励政策申报条件
（一）流片补贴
1.企业在申报年度内进行全掩膜（Full Mask）或多项目晶圆（MPW）首轮流片。
2.经过 Full Mask 流片，达到设计要求后，可以提供给集成电路系统整机厂商进行芯片性能测试及示范应用的芯片产品，产品须获得集成电路布图设计登记证书。
3.“首轮流片”是指集成电路设计企业为某款芯片进行的第一次流片。
4.流片费用具体包括：掩膜版制作费、用于首轮流片的晶圆购置费（不高于 12 片晶圆）、制造端 IP 授权费、测试加工费等。
（二）设计费用补贴
1.企业在申报年度内直接购买 IP、EDA 并用于研发。
2.企业在申报年度内复用、共享第三方集成电路（IC）设计平台的 IP 设计工具软件或测试分析系统。
3.购买 IP 不包含委托技术服务。
4.“IP”是指供应方提供的已形成知识产权并完成权属登记，可直接用于二次开发的商品。“Foundry IP”指由代工厂提供的用于流片环节的 IP 模块。
5.“委托技术服务”是指，委托方提出技术需求，由供应方研发，之后就该项技术形成知识产权，权属由双方自行约定。
（三）销售自主研发设计的芯片及相关产品奖励
1.芯片及相关产品指以下四类产品：芯片、集成电路制造或测试设备、集成电路制造材料、EDA 软件。
2.企业销售自主研发设计的芯片，且单款芯片年度销售金额累计超过 500 万元（依据会计准则核算）。
3.企业销售自主研发设计、生产制造的集成电路设备或材料，且单款产品年度销售金额累计超过 300 万元（依据会计准则核算）。
4.企业年度销售自主研发设计的 EDA 软件产品。
5.企业销售的芯片须在申报前取得集成电路布图设计专有权，销售的其他产品须拥有自主知识产权。
6.是否单款芯片、设备、材料、EDA 软件，以名称、型号以及其他相关技术材料判定。
7.芯片及相关产品销售奖励每年分领域支持（以当年申报通知为准），申报企业上一年度营收同比增速不小于 30%，且申报奖励的销售产品在技术、性能方面须具有较强的创新性。
8.申报销售奖励的设备、材料在技术、性能方面须具有较强的创新性。
（四）企业贷款贴息
1.企业在申报年度内为扩大研发、生产而新增的银行商业贷款，不包括企业获得的政策性银行贷款。
2.企业上一年度的集成电路主营业务收入占企业收入总额的比例不低于 60%。
3.新增贷款是指年度内新核准并已发放的贷款。
4.对因逾期、违约等产生的费用一律不予补贴。